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场效应MOS
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LDO芯片
可控硅SCR
型号
Part
封装
Packag
均方根电流
IT(RMS)Max
(A)
浪涌电流
ITSM
(A)
断态重复峰值电压
VDRM Min
(V)
断态反向重复峰值电压
VRRM Min
(V)
触发电流
IGT3 Max
(mA)
结温
 Tj
(℃)
 		Report
BT169D
 		TO-92  0.8 8 600 600 200 110
MCR100-6
 		TO-92 0.8 8 400 400 200 110
MCR100-8
 		TO-92
 		0.8 8 600 600 200 110
CR03AM
 		TO-92
 		0.8 8 600 600 200 110
MCK100-8
 		SOT-89 0.8
8

600 600 200
 110
CR05AS
 		SOT-89
 		0.8 8 600 600 200
 110