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场效应MOS
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LDO芯片
可控硅SCR
型号
Part
封装
Packag
均方根电流
IT(RMS)Max
(A)
浪涌电流
ITSM
(A)
断态重复峰值电压
VDRM Min
(V)
断态反向重复峰值电压
VRRM Min
(V)
触发电流
IGT3 Max
(mA)
结温
 Tj
(℃)
 		Report
TYN610
 		TO-220  10 100 600 600 10 125
TYN612
 		SOT-223 12 120 600 600 10 125
TYN816
 		TO-92
 		16 160 800 600 15 125
TYN825
 		TO-92
 		25 250 800 600 25 125
TYN1225
 		TO-92
 		25
250

1200 600 25 125
TYN840
 		SOT-223
 		40 400 800 600 25 125