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晶闸管可控硅芯片短路环边缘出现击穿、烧毁点的原因
   将击穿的晶闸管可控硅塑封环氧树脂去除后，显微镜检查发现短路环边缘处出现击穿、烧毁点。（如下图）

此现象通常可以判断为di/dt导致的击穿烧毁。
门极短路环处电流击穿原因：
1 受外界脉冲干扰，或当外加IG太小，达不到元件的触发电流时。此时由于晶体管效应，门极区的耐压急剧下降，从而在这个区域被击穿。
2 必须排除主回路di/dt大高，如容性负载或负载短路等情况下，也会出现门极烧毁现象。