三象限晶闸管M40T120A汇沃HUIWO双向可控硅40A1200VTG功率模块
三象限(3Q)双向可控硅具有和四象限(4Q)双向可控硅不同的内部结构,它在门极没有临界的重叠结构。这使它不能在第四象限工作,但由于排除了第四象限的触发,同时避开了四象限(4Q)双向可控硅的缺点
三象限(3Q)双向可控硅为初始产品制造厂带来的好处
1、高dVCOM/dt 值性能,不需缓冲电路
2、高dVD/dt 值性能,不需缓冲电路
3、高dICOM/dt 值性能,不必串联电感
如果您的电路采用光耦驱动,那么您可以选取我司的三象限可控硅;如果您的电路电源部分是采用阻容降压,控制部分采用MCU控制,那么您也可以选取我司的三象限可控硅【详细】
2022-10-29
三象限晶闸管JST41Z-1600BW汇沃HUIWO双向可控硅40A1600V TO-3P封装
三象限(3Q)双向可控硅具有和四象限(4Q)双向可控硅不同的内部结构,它在门极没有临界的重叠结构。这使它不能在第四象限工作,但由于排除了第四象限的触发,同时避开了四象限(4Q)双向可控硅的缺点
三象限(3Q)双向可控硅为初始产品制造厂带来的好处
1、高dVCOM/dt 值性能,不需缓冲电路
2、高dVD/dt 值性能,不需缓冲电路
3、高dICOM/dt 值性能,不必串联电感
如果您的电路采用光耦驱动,那么您可以选取我司的三象限可控硅;如果您的电路电源部分是采用阻容降压,控制部分采用MCU控制,那么您也可以选取我司的三象限可控硅【详细】
2022-10-29
三象限晶闸管JST41Z-1200BW汇沃HUIWO双向可控硅40A1200VTG功率模块
三象限(3Q)双向可控硅具有和四象限(4Q)双向可控硅不同的内部结构,它在门极没有临界的重叠结构。这使它不能在第四象限工作,但由于排除了第四象限的触发,同时避开了四象限(4Q)双向可控硅的缺点
三象限(3Q)双向可控硅为初始产品制造厂带来的好处
1、高dVCOM/dt 值性能,不需缓冲电路
2、高dVD/dt 值性能,不需缓冲电路
3、高dICOM/dt 值性能,不必串联电感
如果您的电路采用光耦驱动,那么您可以选取我司的三象限可控硅;如果您的电路电源部分是采用阻容降压,控制部分采用MCU控制,那么您也可以选取我司的三象限可控硅【详细】
2022-10-29
三象限晶闸管JST41Z-800BW汇沃HUIWO双向可控硅40A800V TO-3P
三象限(3Q)双向可控硅具有和四象限(4Q)双向可控硅不同的内部结构,它在门极没有临界的重叠结构。这使它不能在第四象限工作,但由于排除了第四象限的触发,同时避开了四象限(4Q)双向可控硅的缺点
三象限(3Q)双向可控硅为初始产品制造厂带来的好处
1、高dVCOM/dt 值性能,不需缓冲电路
2、高dVD/dt 值性能,不需缓冲电路
3、高dICOM/dt 值性能,不必串联电感
如果您的电路采用光耦驱动,那么您可以选取我司的三象限可控硅;如果您的电路电源部分是采用阻容降压,控制部分采用MCU控制,那么您也可以选取我司的三象限可控硅【详细】
2022-10-29
三象限晶闸管JST41T-1200BW汇沃HUIWO双向可控硅40A1200VTG功率模块
三象限(3Q)双向可控硅具有和四象限(4Q)双向可控硅不同的内部结构,它在门极没有临界的重叠结构。这使它不能在第四象限工作,但由于排除了第四象限的触发,同时避开了四象限(4Q)双向可控硅的缺点
三象限(3Q)双向可控硅为初始产品制造厂带来的好处
1、高dVCOM/dt 值性能,不需缓冲电路
2、高dVD/dt 值性能,不需缓冲电路
3、高dICOM/dt 值性能,不必串联电感
如果您的电路采用光耦驱动,那么您可以选取我司的三象限可控硅;如果您的电路电源部分是采用阻容降压,控制部分采用MCU控制,那么您也可以选取我司的三象限可控硅【详细】
2022-10-29
三象限晶闸管JST41T-800BW汇沃HUIWO双向可控硅40A800VTG功率模块
三象限(3Q)双向可控硅具有和四象限(4Q)双向可控硅不同的内部结构,它在门极没有临界的重叠结构。这使它不能在第四象限工作,但由于排除了第四象限的触发,同时避开了四象限(4Q)双向可控硅的缺点
三象限(3Q)双向可控硅为初始产品制造厂带来的好处
1、高dVCOM/dt 值性能,不需缓冲电路
2、高dVD/dt 值性能,不需缓冲电路
3、高dICOM/dt 值性能,不必串联电感
如果您的电路采用光耦驱动,那么您可以选取我司的三象限可控硅;如果您的电路电源部分是采用阻容降压,控制部分采用MCU控制,那么您也可以选取我司的三象限可控硅【详细】
2022-10-29
三象限晶闸管BTB12-800BW双向可控硅12A800V贴片TO-263封装
三象限(3Q)双向可控硅具有和四象限(4Q)双向可控硅不同的内部结构,它在门极没有临界的重叠结构。这使它不能在第四象限工作,但由于排除了第四象限的触发,同时避开了四象限(4Q)双向可控硅的缺点
三象限(3Q)双向可控硅为初始产品制造厂带来的好处
1、高dVCOM/dt 值性能,不需缓冲电路
2、高dVD/dt 值性能,不需缓冲电路
3、高dICOM/dt 值性能,不必串联电感
如果您的电路采用光耦驱动,那么您可以选取我司的三象限可控硅;如果您的电路电源部分是采用阻容降压,控制部分采用MCU控制,那么您也可以选取我司的三象限可控硅【详细】
2022-10-29
三象限晶闸管BTA225B-800BW双向可控硅25A800V贴片TO-263封装
三象限(3Q)双向可控硅具有和四象限(4Q)双向可控硅不同的内部结构,它在门极没有临界的重叠结构。这使它不能在第四象限工作,但由于排除了第四象限的触发,同时避开了四象限(4Q)双向可控硅的缺点
三象限(3Q)双向可控硅为初始产品制造厂带来的好处
1、高dVCOM/dt 值性能,不需缓冲电路
2、高dVD/dt 值性能,不需缓冲电路
3、高dICOM/dt 值性能,不必串联电感
如果您的电路采用光耦驱动,那么您可以选取我司的三象限可控硅;如果您的电路电源部分是采用阻容降压,控制部分采用MCU控制,那么您也可以选取我司的三象限可控硅【详细】
2022-10-27
高压三象限晶闸管T2550-12T双向可控硅25A1200V贴片TO-220B封装
三象限(3Q)双向可控硅具有和四象限(4Q)双向可控硅不同的内部结构,它在门极没有临界的重叠结构。这使它不能在第四象限工作,但由于排除了第四象限的触发,同时避开了四象限(4Q)双向可控硅的缺点
三象限(3Q)双向可控硅为初始产品制造厂带来的好处
1、高dVCOM/dt 值性能,不需缓冲电路
2、高dVD/dt 值性能,不需缓冲电路
3、高dICOM/dt 值性能,不必串联电感
如果您的电路采用光耦驱动,那么您可以选取我司的三象限可控硅;如果您的电路电源部分是采用阻容降压,控制部分采用MCU控制,那么您也可以选取我司的三象限可控硅【详细】
2022-10-27
三象限晶闸管T2550-12G双向可控硅25A1200V贴片TO-263封装
三象限(3Q)双向可控硅具有和四象限(4Q)双向可控硅不同的内部结构,它在门极没有临界的重叠结构。这使它不能在第四象限工作,但由于排除了第四象限的触发,同时避开了四象限(4Q)双向可控硅的缺点
三象限(3Q)双向可控硅为初始产品制造厂带来的好处
1、高dVCOM/dt 值性能,不需缓冲电路
2、高dVD/dt 值性能,不需缓冲电路
3、高dICOM/dt 值性能,不必串联电感
如果您的电路采用光耦驱动,那么您可以选取我司的三象限可控硅;如果您的电路电源部分是采用阻容降压,控制部分采用MCU控制,那么您也可以选取我司的三象限可控硅【详细】
2022-10-27
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